儀器由信號源和測試架兩大部分組成。可用于霍爾效應(yīng)實驗，并且研究亥姆霍茲線圈的磁場分布規(guī)律。本儀器已申請國家實用新型專利。(可完成的實驗) 1、學(xué)習霍爾效應(yīng)原理，測繪霍爾元件的VH Is，VH IM曲線，了解霍爾電勢差VH與霍爾元件工作電流Is，磁場應(yīng)強度B及勵磁電流和IM之間的關(guān)系。2、學(xué)習用 對稱交換測量法 消除負效應(yīng)產(chǎn)生的系統(tǒng)誤差。3、測量單個通電圓線圈軸線上（X方向）各點的磁感應(yīng)強度；4、測量亥姆霍茲線圈軸線上各點的磁感應(yīng)強度；比較和驗證磁場疊加的原理5、測量兩個通電圓線圈不同間距時的線圈軸線上各點的磁感應(yīng)強度；6、測量亥姆霍茲線圈Y方向上B的分布7、測量亥姆霍茲線圈Ｚ方向上B的分布8、測量通電線圈任意位置的B值。 1、勵磁電流IM輸出范圍：直流0～0.500A，3位半數(shù)字表測量，調(diào)節(jié)細度：1mA，負載電阻范圍：0～40 。2、霍爾片工作電流IS輸出范圍：直流0～5.00mA，3位半數(shù)字表測量，調(diào)節(jié)細度：10 A，負載電阻范圍：0～1K 。3、霍爾電壓VH輸入測量范圍：直流 0～19.99mV，3位半數(shù)字表測量，分辨力10 V。4、亥姆霍茲線圈　　線圈等效半徑：100mm，二線圈中心間距：50～200mm連續(xù)可調(diào)；線圈匝數(shù)：500匝（單個），線圈電阻：約15 。5、霍爾元件砷化鎵霍爾元件，四端引出，靈敏度 140mV/(mA T)霍爾片的厚度的d為0.2mm，寬度為1.5mm，長度L為2.5mm。6、三維可移動裝置：X向移動距離 200mm，Y向移動距離 80mm，Z向移動距離 80mm。