SDY-4四探針測試儀是根據(jù)單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測試專用儀器. 儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件,采用平面輕觸式開關(guān)控制,及各種工作狀態(tài)LED指示.應(yīng)用微計算機技術(shù)，利用HQ-710E型測量數(shù)據(jù)處理器，使得測量讀數(shù)更加直觀、快速，并能實現(xiàn)晶片厚度自行修正，打印出全部預(yù)置和測量、計算數(shù)據(jù)。整套儀器體積小、功耗低、測量精度高、測試速度快、穩(wěn)定性好、易操作。 SDY4四探針測試儀本儀器可滿足半導(dǎo)體材料、器件的研究生產(chǎn)單位對材料(棒材、片材)電阻率及擴散層、離子注入層、異型外延層和導(dǎo)電薄膜方塊電阻測量的需要。技術(shù)指標(biāo)1測量范圍:電阻率:0.001-200 .cm(可擴展);　　　　　　方塊電阻:0.01-2000 /口(可擴展);2可測晶片直徑(最大):100mm(配J-2B型手動測試臺)　　　　　　　　　　 200mm(配J-51型手動測試臺)3恒流源:電流量程分為0.1、1、10、100(mA)四檔,各檔電流連續(xù)可調(diào).誤差 0.3%4數(shù)字電壓表:量程:0-199.99mV;分辨率:10 V顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、小數(shù)點、超量程自動顯示。輸入阻抗 1000M ;精度: 0.1%.5最大電阻測量誤差(按JJG508-87進行):0.1 、1 、10 、100 小于等于0.3% 1字.6四探針探頭:間距:1 0.01mm;針間絕緣電阻 1000M ;機械游移率: 0.3%探針壓力:TZT-9A/9B:12-16牛頓(總力)TZT-9C/9D5-8牛頓(總力)7整機不確定度:(用硅標(biāo)樣片測試) 5%(0.01-180 .cm)8外形尺寸:電氣主機:360mm 320mm 100mm；數(shù)據(jù)處理器：300mm 210mm 105mm9數(shù)據(jù)處理器功能:A鍵盤控制測量取數(shù),自動進行電流換向,并進行正反向電流下的電阻率(或方塊電阻)測量,顯示出平均值.測薄片時,可自動進行厚度修正;B鍵盤控制數(shù)據(jù)處理,運算電阻率平均值和電阻率值最大百分變化及平均百分變化;C鍵盤控制打印全部測量數(shù)據(jù).測量條件、最大電阻率值、最小電阻率值、電阻率最大百分變化及平均百分變化。10儀器重量：電氣主機：約4kg；測試臺：約10kg，數(shù)據(jù)處理器：約2.5kg11測試環(huán)境：溫度23 2℃；相對濕度 65％；無高頻干擾；無強光照射。