本儀器廣泛應(yīng)用于太陽能單晶（多晶）生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測試，半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國A.S.T.M標準而設(shè)計的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。儀器采用了最新電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。如有需要可加配測試臺使用。 RTS2測量范圍 電阻率：0.01～1999.9 .cm； 方塊電阻：0.1～19999 /□； RTS2A測量范圍 電阻率：0.001～199.99 .cm； 方塊電阻：0.01～1999.9 /□；RTS2恒流源 電流量程分為100 A、1mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)RTS2A恒流源 電流量程分為1mA、10mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)數(shù)字電壓表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　 分辨力：10 V； 輸入阻抗： 1000M ； 精度： 0.1%； 顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；四探針探頭基本指標 間距：1 0.01mm； 針間絕緣電阻： 1000M ； 機械游移率： 0.3%； 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16牛頓(總力)；四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見探頭附帶的合格證)模擬電阻測量相對誤差(按JJG508-87進行) 1 、10 、100 小于等于0.3% 1字整機測量最大相對誤差(用硅標樣片：0.01-180 .cm測試) 5%整機測量標準不確定度 5%外型尺寸 125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)標準使用環(huán)境 溫度：23 2℃； 相對濕度： 65%； 無高頻干擾； 無強光直射；