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供應(yīng)惠州MOS-1型功率場效應(yīng)管測試儀(圖)

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規(guī) 格: 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 
單 價: 面議 
起 訂:  
供貨總量: 99999
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 廣東 惠州市
有效期至: 長期有效
更新日期: 2010-10-02 12:44
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【供應(yīng)惠州MOS-1型功率場效應(yīng)管測試儀(圖)】詳細(xì)說明
惠州創(chuàng)世紀(jì)儀器儀表商行供應(yīng)惠州MOS-1型功率場效應(yīng)管測試儀一、概述  MOS-1型功率場效應(yīng)管測試儀,是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場效應(yīng)管參數(shù)測試裝置,可用于標(biāo)稱電流約在2-100A,功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場效應(yīng)管主要參數(shù)的測試。它可以準(zhǔn)確測量擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs,尤其是跨導(dǎo)Gfs的測試電流可以達(dá)到50A,由于采用脈沖電流測試法,即使在大電流測試時也不會對被測器件造成任何損壞,更可以在大電流狀態(tài)下對場效應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測試(配對);儀器完全可用于同等電流等級的IGBT參數(shù)的測量;儀器還是一臺性能十分優(yōu)越的電子元器件耐壓測試裝置,其測試耐壓時的漏電流有1mA、250uA、25uA三擋可以選擇。儀器主要用于功率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗、參數(shù)的配對及其它電子元器件的耐壓測試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測試儀和P溝導(dǎo)型測試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準(zhǔn)確、操作簡單、使用安全方便。二、主要技術(shù)性能1、擊穿電壓VDSS測量范圍:0—1999V,精度:≤2.5%。2、IDSS可分三擋選擇:1mA、250uA、25uA。3、柵極開啟電壓VGS(th)測量范圍:0—10V。精度:≤5%。4、Gfs跨導(dǎo)測試電流Idm:不小于1—50A連續(xù)可調(diào),精度:≤10%。5、Gfs跨導(dǎo)測試范圍:1—100三、主要測試功能1、功率場效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測試。2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測試。3、功率場效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測試,可用于配對。4、對其它更大電流和功率的場效應(yīng)管及IGBT的測試:(見下面介紹)。5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測試。6、壓敏電阻電壓的測試等。四、測試盒與測試線1、利用測試盒可以方便的測試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場效應(yīng)管和IGBT。2、利用測試線可以測量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場效應(yīng)管和IGBT。
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