1、 LN晶片 1、晶片直徑：Φ76.2±0.5mm Φ100±0.5mm 2、晶片厚度：(1)0.50±0.05mm (2)1.0±0.05mm(3)0.79±0.01mm (4)0.71±0.01mm(5)0.66±0.01mm 3、晶片軸向：要求的軸向±0.20 4、基準邊和方向要求： (1)、基準面——不超過±0.20 (2)、基準長度：22±2mm。 (3)、第二基準長度：10±3mm 5、晶片表面拋光質(zhì)量： (1)、晶片表面：晶片雙面拋光10/5 (2)、晶片倒角：保護性倒角。 6、晶片光學性能： (1)、透光波段：370—5000nm (2)、折射率：（633nm）no=2.286 ne=2.200 (3)、折射率梯度（633nm）≤5×10-5/cm (4)、光透過率（633nm）≥68% (5)、雙折射率：△n=no-ne≈0.08 7、不同方向晶片的規(guī)格： 1、X-cut (1)、軸向：X±0.20 (2)、基準方向：Z軸 (3)、第二基準：沿Y軸順時針方向轉(zhuǎn)135度 2、Z-cut (1)、軸向：Z±0.20 (2)、基準方向：X軸 (3)、特殊規(guī)格按客戶要求。2、E-O光開關(guān) 1、 規(guī)格：9*9*25、10*10*2220、（可根據(jù)客戶要求加工）2、 面型： l/4@633nm3、 軸向：X、Y、Z 4、 光潔度：10/5perMIL-O-13830A5、 AR膜：R 0.2%@1064nm3、 LN調(diào)制器1、 規(guī)格：1.5*1.5*30、4*2.5*60、1.5*1.5*60、（可根據(jù)客戶需求加工）2、 l/4@633nm3、 軸向：X、Y、Z 4、 光潔度：10/5perMIL-O-13830A5、 AR膜：R 0.2%@1064nm