概述：OHSJ119砷化鎵霍爾元件是一種采用Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)單晶,用離子注入工藝制作的磁電轉(zhuǎn)換元件，可將磁場強(qiáng)度信號線性地轉(zhuǎn)換成電壓訊號輸出。 產(chǎn)品特點(diǎn)線性度優(yōu)良、溫度穩(wěn)定性好、采用微型封裝 典型應(yīng)用磁場測量、無刷電機(jī)、電流傳感器、無觸點(diǎn)開關(guān)、位置控制、轉(zhuǎn)速檢測 極限參數(shù)最大控制電流Ii 10mA工作環(huán)境溫度TA -55～125℃貯存溫度范圍TS -55～150℃ 電特性　（TA＝25℃） 參　　數(shù)符　號測試條件量值單位霍爾輸出電壓VHIi=5mA B=100mT50～130mV不等位電壓VO/VHIi=5mAB=0/B=100mT 12%輸入電阻RiIi=1mA450～900 輸出電阻ROIi=1mA900～1800 VH的溫度系數(shù)аVHIi=5mA B=100mT-0.07%/℃輸入電阻與輸出電阻的溫度系數(shù)аi,oIi=1mA B=0mT0.3%/℃線性度 KHIi=5mA B=0～300mT＜2%