書名:半導體的檢測與分析（第二版）作者:許振嘉　主編出版社:科學出版社出版日期:2007年8月ISBN:9787030194626頁數(shù):635開本:16市場價格:￥98元會員價格:￥82元VIP價格:￥80元贈送積分:0分版次: 瀏覽次數(shù):1 內(nèi)容簡介本書的內(nèi)容與1984年第一版的內(nèi)容完全不同。本書介紹補充了這二十年來半導體科研、生產(chǎn)中最常用的各種檢測、分析方法和原理。全書共分7章，包括引論，半導體的高分辨X射線衍射，光學檢測與分析，表面、薄膜成分分析，掃描探針顯微學在半導體中的運用，透射電子顯微學及其在半導體中的應用和半導體深中心的表征。書中根據(jù)實踐列舉了一些實例，同時附有大量參考文獻和常用的數(shù)據(jù)，以便讀者進一步參考和應用。　本書可供從事半導體科研和生產(chǎn)的科研人員，大專院校老師和研究生使用。 目錄前言第1章引論　1.1科學內(nèi)容　1.2實驗技術　1.3展望　參考文獻第2章半導體晶體的高分辨X射線衍射　2.1引言　2.2半導體晶體結(jié)構與結(jié)構缺陷　2.3X射線平面波的衍射　2.4高分辨X射線衍射的限束　2.5異質(zhì)外延多層膜的X射線雙晶衍射　2.6三軸衍射　2.7晶格參數(shù)的精確測量　2.8鑲嵌結(jié)構的測量　2.9鏡面反射與面內(nèi)掠入射　參考文獻　附錄第3章光學性質(zhì)檢測分析　3.1引言　3.2半導體光致發(fā)光　3.3半導體的陰極熒光　3.4吸引光譜及其相關的薄膜光譜測量方法　3.5拉曼散射　參考文獻第4章表面和薄膜成分分析　4.1引言　4.2俄歇電子能譜　4.3X射線光電子譜　4.4二次離子質(zhì)譜4.5盧瑟福背散射參考文獻附錄第5章掃描探針顯微學在半導體中的運用　5.1引言　5.2掃描隧道顯微鏡的基本原理　5.3用STM分析表面結(jié)構　5.4掃描隧道譜　5.5彈道電子發(fā)射顯微鏡　5.6原子力顯微鏡　5.7原子力顯微鏡用于表面分析　5.8掃描電容顯微鏡　5.9靜電力顯微鏡　5.10磁力顯微鏡　5.11掃描近場光學顯微鏡　5.12原子操縱與納米加工　參考文獻第6章透射電子顯微學及其在半導體研究　6.1引言　6.2透射電子顯微鏡的基本構造及工作原理　6.3顯微像襯度　6.4其他技術　6.5應用實例　6.6結(jié)語　參考文獻　附錄第7章半導體深中心的表征7.1深能級瞬態(tài)譜技術參考文獻7.2熱激電流參考文獻