新聞：四平設(shè)備基礎(chǔ)灌漿料送貨上門
 施工工藝

一、材料制備：

1、推薦采用機(jī)械攪拌方式，攪拌時(shí)間一般為1~2分鐘，嚴(yán)禁用手電鉆式攪拌器。如采用人工攪拌時(shí)，應(yīng)先加入2/3的用水量攪拌2~3分鐘，其后加入剩余水量攪拌至均勻。

2、每次攪拌量應(yīng)視使用量多少而定，以保證40分鐘以內(nèi)將料用完。

3、現(xiàn)場使用時(shí)，嚴(yán)禁在灌漿料中摻入任何外加劑、外摻料。

4、推薦用水量：13~15% 。

5、  參考用量計(jì)算：kg/m³。
新聞：四平設(shè)備基礎(chǔ)灌漿料送貨上門通過對(duì)卷狀芳綸無緯布生產(chǎn)工藝的研究,探究幾個(gè)關(guān)鍵工藝條件(包括絲束退繞張力、膠粘劑的配方、層壓復(fù)合的溫度、壓力及運(yùn)行速度等)對(duì)卷狀芳綸無緯布的性能(包括表觀性能和防性能)的影響,摸索出一組的工藝條件,由此制備的無緯布產(chǎn)品綜合性能。由此工藝織造成的卷狀無緯布防芯片通過美NIJ0101.06測試標(biāo)準(zhǔn)和GA141-2010標(biāo)準(zhǔn)測試,驗(yàn)證了此生產(chǎn)工藝的優(yōu)越性。

二、設(shè)備基礎(chǔ)二次灌漿施工說明：

1、基層處理：清掃設(shè)備基礎(chǔ)表面，不得有碎石、浮漿、浮灰、油污和脫模劑等雜物。灌漿前24小時(shí)，設(shè)備基礎(chǔ)表面應(yīng)充分濕潤，并清除積水。

2、支設(shè)模板：

（1）    模板與基礎(chǔ)、模板與模板間的接縫處用水泥漿（建議使用901塊速堵漏劑或YJS-400封縫膠）、膠帶等封縫，達(dá)到整體模板不漏水的程度。

（2）    （2）模板與設(shè)備底座四周的水平距離應(yīng)控制在100mm左右，以利于灌漿施工。模板頂部標(biāo)高應(yīng)高出設(shè)備底座上表面50mm。

3、灌漿施工：

（1）    二次灌漿工藝應(yīng)符合設(shè)備基礎(chǔ)二次灌漿施工工藝的要求。

（2）    較長設(shè)備或軌道基礎(chǔ)的灌漿，應(yīng)采用跳倉法分段施工，每段長度不應(yīng)超過5m。

（3）    采用高位漏斗法灌漿時(shí)，應(yīng)從設(shè)備底座或一側(cè)開始灌漿。

（4）    設(shè)備基礎(chǔ)二次灌漿前，應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況選擇相應(yīng)的灌漿方式。

4、二次灌漿應(yīng)符合下列要求：

（1）    二次灌漿應(yīng)從一側(cè)或相鄰的兩側(cè)多點(diǎn)進(jìn)行灌漿，直至從另一側(cè)溢出為止，以利于灌漿過程中的排氣，不得從四側(cè)同時(shí)進(jìn)行灌漿。

（2）    灌漿開始后必須連續(xù)進(jìn)行，不能間斷，并盡可能縮短灌漿時(shí)間。

（3）    在灌漿過程中嚴(yán)禁振搗，必要時(shí)可用灌漿助推器沿灌漿層底部推動(dòng)灌漿料，嚴(yán)禁從灌漿層的中、上部推動(dòng)，以確保灌漿層的勻質(zhì)性。

（4）    設(shè)備基礎(chǔ)灌漿完畢后3～6小時(shí)沿設(shè)備邊緣向外切45℃斜角，以防止自由端產(chǎn)生裂縫。如無法進(jìn)行切邊處理，應(yīng)在灌漿后3～6小時(shí)用抹將灌漿層表面壓光。

新聞：四平設(shè)備基礎(chǔ)灌漿料送貨上門針對(duì)水泥基材料中形成碳硫硅鈣石的溶液直接反應(yīng)機(jī)理和硅鈣礬石轉(zhuǎn)變機(jī)理,建立了熱力學(xué)模型;由熱力學(xué)模型得出的數(shù)據(jù)表明,碳硫硅鈣石在0~25℃時(shí)可通過溶液直接反應(yīng)來生成;5℃下鈣礬石可與C-S-H凝膠、碳酸鈣、石膏和水生成硅鈣礬石固溶體,但不能生成碳硫硅鈣石晶體,而且硅鈣礬石固溶體的生成比碳硫硅鈣石通過溶液直接反應(yīng)生成更為容易.由溶液直接反應(yīng)生成碳硫硅鈣石的焓變數(shù)據(jù)表明其反應(yīng)為熱反應(yīng),平衡常數(shù)隨溫度的升高而降低;低溫有利于碳硫硅鈣石的形成.