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公司基本資料信息
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一、材料制備:
1、推薦采用機(jī)械攪拌方式,攪拌時(shí)間一般為1~2分鐘,嚴(yán)禁用手電鉆式攪拌器。如采用人工攪拌時(shí),應(yīng)先加入2/3的用水量攪拌2~3分鐘,其后加入剩余水量攪拌至均勻。
2、每次攪拌量應(yīng)視使用量多少而定,以保證40分鐘以內(nèi)將料用完。
3、現(xiàn)場(chǎng)使用時(shí),嚴(yán)禁在灌漿料中摻入任何外加劑、外摻料。
4、推薦用水量:13~15% 。
5、 參考用量計(jì)算:kg/m3。
廠家新聞;四壓漿劑廠家技術(shù)指導(dǎo)利用圓形氣泡試驗(yàn)研究ETFE薄膜雙向受力性能,了完整的真實(shí)應(yīng)力-應(yīng)變曲線和基本力學(xué)性能參數(shù).結(jié)果表明:當(dāng)真實(shí)應(yīng)力為17~18MPa時(shí),ETFE薄膜的真實(shí)應(yīng)力-應(yīng)變曲線出現(xiàn)個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn),與單軸拉伸試驗(yàn)結(jié)果相同;當(dāng)真實(shí)應(yīng)力約為50MPa時(shí),該曲線趨于緩;當(dāng)真實(shí)應(yīng)力約為60MPa時(shí),由于局部破損導(dǎo)致ETFE薄膜球冠失效;在雙向拉伸下,ETFE薄膜破裂時(shí)的真實(shí)應(yīng)變?yōu)?0%~40%,遠(yuǎn)小于單軸拉伸試驗(yàn)結(jié)果.基于試驗(yàn)結(jié)果提出了1種四折線本構(gòu)模型,并通過(guò)數(shù)值模擬驗(yàn)證其適用性.
二、設(shè)備基礎(chǔ)二次灌漿施工說(shuō)明:
1、基層處理:清掃設(shè)備基礎(chǔ)表面,不得有碎石、浮漿、浮灰、油污和脫模劑等雜物。灌漿前24小時(shí),設(shè)備基礎(chǔ)表面應(yīng)充分濕潤(rùn),并清除積水。
2、支設(shè)模板:
(1) 模板與基礎(chǔ)、模板與模板間的接縫處用水泥漿(建議使用901塊速堵漏劑或YJS-400封縫膠)、膠帶等封縫,達(dá)到整體模板不漏水的程度。
(2) (2)模板與設(shè)備底座四周的水距離應(yīng)控制在100mm左右,以利于灌漿施工。模板頂部標(biāo)高應(yīng)高出設(shè)備底座上表面50mm。
3、灌漿施工:
(1) 二次灌漿工藝應(yīng)符合設(shè)備基礎(chǔ)二次灌漿施工工藝的要求。
(2) 較長(zhǎng)設(shè)備或軌道基礎(chǔ)的灌漿,應(yīng)采用跳倉(cāng)法分段施工,每段長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)5m。
(3) 采用高位漏斗法灌漿時(shí),應(yīng)從設(shè)備底座或一側(cè)開(kāi)始灌漿。
(4) 設(shè)備基礎(chǔ)二次灌漿前,應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況選擇相應(yīng)的灌漿方式。
4、二次灌漿應(yīng)符合下列要求:
(1) 二次灌漿應(yīng)從一側(cè)或相鄰的兩側(cè)多點(diǎn)進(jìn)行灌漿,直至從另一側(cè)溢出為止,以利于灌漿過(guò)程中的排氣,不得從四側(cè)同時(shí)進(jìn)行灌漿。
(2) 灌漿開(kāi)始后必須連續(xù)進(jìn)行,不能間斷,并盡可能縮短灌漿時(shí)間。
(3) 在灌漿過(guò)程中嚴(yán)禁振搗,必要時(shí)可用灌漿助推器沿灌漿層底部推動(dòng)灌漿料,嚴(yán)禁從灌漿層的中、上部推動(dòng),以確保灌漿層的勻質(zhì)性。
(4) 設(shè)備基礎(chǔ)灌漿完畢后3~6小時(shí)沿設(shè)備邊緣向外切45℃斜角,以防止自由端產(chǎn)生裂縫。如無(wú)法進(jìn)行切邊處理,應(yīng)在灌漿后3~6小時(shí)用抹刀將灌漿層表面壓光。
廠家新聞;四壓漿劑廠家技術(shù)指導(dǎo)采用四步法三維編織以及VARTM技術(shù)制得三維編織復(fù)合材料T型梁,利用MTS 810.23儀器對(duì)材料進(jìn)行準(zhǔn)靜態(tài)三點(diǎn)彎曲測(cè)試,使用為3Hz、應(yīng)力比R=1的正弦波加載條件對(duì)材料進(jìn)行彎曲疲勞測(cè)試。根據(jù)測(cè)得的數(shù)據(jù)分析獲得S-N曲線、應(yīng)力位移曲線以及位移曲線,材料在50%應(yīng)力水下其三點(diǎn)彎曲疲勞加載循環(huán)次數(shù)超過(guò)50萬(wàn)次。通過(guò)終形態(tài)可知,筋高處纖維的斷裂是導(dǎo)致材料終失效的主要模式。