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公司基本資料信息
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一、材料制備:
1、推薦采用機(jī)械攪拌方式,攪拌時(shí)間一般為1~2分鐘,嚴(yán)禁用手電鉆式攪拌器。如采用人工攪拌時(shí),應(yīng)先加入2/3的用水量攪拌2~3分鐘,其后加入剩余水量攪拌至均勻。
2、每次攪拌量應(yīng)視使用量多少而定,以保證40分鐘以內(nèi)將料用完。
3、現(xiàn)場(chǎng)使用時(shí),嚴(yán)禁在灌漿料中摻入任何外加劑、外摻料。
4、推薦用水量:13~15% 。
5、 參考用量計(jì)算:kg/m3。
產(chǎn)品新聞;興安盟高強(qiáng)灌漿料技術(shù)指導(dǎo)在水泥混凝土路面硬化過(guò)程中,由于各種因素引起的固化翹曲將長(zhǎng)期存在,會(huì)對(duì)其平整度、耐久性產(chǎn)生重要影響.通過(guò)野外鋪筑水泥混凝土足尺試驗(yàn)路面,觀測(cè)、分析了5種養(yǎng)生方式下其早期、終凝時(shí)的溫度場(chǎng).結(jié)果表明:普通養(yǎng)護(hù)劑養(yǎng)生和塑料薄膜養(yǎng)生分別使水泥混凝土路面產(chǎn)生了7.1,6.5℃/26cm的內(nèi)嵌溫度梯度;雖然不同養(yǎng)生方式下水泥混凝土路面早期溫度場(chǎng)變化規(guī)律基本相同,但差異也較為明顯,而且這種差異主要由養(yǎng)生材料的太陽(yáng)輻射吸收率、熱交換系數(shù)等參數(shù)不同所致.
二、設(shè)備基礎(chǔ)二次灌漿施工說(shuō)明:
1、基層處理:清掃設(shè)備基礎(chǔ)表面,不得有碎石、浮漿、浮灰、油污和脫模劑等雜物。灌漿前24小時(shí),設(shè)備基礎(chǔ)表面應(yīng)充分濕潤(rùn),并清除積水。
2、支設(shè)模板:
(1) 模板與基礎(chǔ)、模板與模板間的接縫處用水泥漿(建議使用901塊速堵漏劑或YJS-400封縫膠)、膠帶等封縫,達(dá)到整體模板不漏水的程度。
(2) (2)模板與設(shè)備底座四周的水平距離應(yīng)控制在100mm左右,以利于灌漿施工。模板頂部標(biāo)高應(yīng)高出設(shè)備底座上表面50mm。
3、灌漿施工:
(1) 二次灌漿工藝應(yīng)符合設(shè)備基礎(chǔ)二次灌漿施工工藝的要求。
(2) 較長(zhǎng)設(shè)備或軌道基礎(chǔ)的灌漿,應(yīng)采用跳倉(cāng)法分段施工,每段長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)5m。
(3) 采用高位漏斗法灌漿時(shí),應(yīng)從設(shè)備底座中央或一側(cè)開(kāi)始灌漿。
(4) 設(shè)備基礎(chǔ)二次灌漿前,應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況選擇相應(yīng)的灌漿方式。
4、二次灌漿應(yīng)符合下列要求:
(1) 二次灌漿應(yīng)從一側(cè)或相鄰的兩側(cè)多點(diǎn)進(jìn)行灌漿,直至從另一側(cè)溢出為止,以利于灌漿過(guò)程中的排氣,不得從四側(cè)同時(shí)進(jìn)行灌漿。
(2) 灌漿開(kāi)始后必須連續(xù)進(jìn)行,不能間斷,并盡可能縮短灌漿時(shí)間。
(3) 在灌漿過(guò)程中嚴(yán)禁振搗,必要時(shí)可用灌漿助推器沿灌漿層底部推動(dòng)灌漿料,嚴(yán)禁從灌漿層的中、上部推動(dòng),以確保灌漿層的勻質(zhì)性。
(4) 設(shè)備基礎(chǔ)灌漿完畢后3~6小時(shí)沿設(shè)備邊緣向外切45℃斜角,以防止自由端產(chǎn)生裂縫。如無(wú)法進(jìn)行切邊處理,應(yīng)在灌漿后3~6小時(shí)用抹刀將灌漿層表面壓光。
產(chǎn)品新聞;興安盟高強(qiáng)灌漿料技術(shù)指導(dǎo)針對(duì)水泥基材料中形成碳硫硅鈣石的溶液直接反應(yīng)機(jī)理和硅鈣礬石轉(zhuǎn)變機(jī)理,建立了熱力學(xué)模型;由熱力學(xué)模型得出的數(shù)據(jù)表明,碳硫硅鈣石在0~25℃時(shí)可通過(guò)溶液直接反應(yīng)來(lái)生成;5℃下鈣礬石可與C-S-H凝膠、碳酸鈣、石膏和水生成硅鈣礬石固溶體,但不能生成碳硫硅鈣石晶體,而且硅鈣礬石固溶體的生成比碳硫硅鈣石通過(guò)溶液直接反應(yīng)生成更為容易.由溶液直接反應(yīng)生成碳硫硅鈣石的焓變數(shù)據(jù)表明其反應(yīng)為吸熱反應(yīng),平衡常數(shù)隨溫度的升高而降低;低溫有利于碳硫硅鈣石的形成.