A95311 單晶硅生產(chǎn)工藝配方制作制造技術(shù)專利大全 （本輯280元， 含下列61項）（特別提示：本站的專利文獻(xiàn)均已被編成word格式，這在業(yè)內(nèi)獨(dú)樹一幟。） 01、一種生產(chǎn)硅鐵、硅鈣和單晶硅的原料的加工方法02、用于納米光子技術(shù)的單晶硅納米膜的制備方法03、單晶硅片表面氨基硅烷-稀土納米薄膜的制備方法04、單晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土納米薄膜的制備方法05、單晶硅片表面自潔性二氧化鈦納米薄膜的制備方法06、具有均勻空位缺陷的單晶硅錠和晶片及其制備方法和設(shè)備07、單晶硅的制造方法及單晶硅以及硅晶片08、單晶硅晶片及外延片以及單晶硅的制造方法09、p型單晶硅片的表面處理方法10、n型單晶硅片的表面處理方法11、單一軸向排布的單晶硅納米線陣列制備方法12、單晶硅片表面制備巰基硅烷-稀土自潤滑復(fù)合薄膜的方法13、單晶硅片表面制備磺酸基硅烷-稀土納米復(fù)合薄膜的方法14、利用坩堝旋轉(zhuǎn)以控制溫度梯度的制備單晶硅的方法15、一種單晶硅拋光片熱處理工藝16、一種直拉法生長單晶硅用硅籽晶夾持器17、用于制備具有改善的柵氧化層完整性的單晶硅的方法18、單晶硅太陽能電池的表面結(jié)構(gòu)及其制作方法19、硅片和生產(chǎn)單晶硅的方法20、單晶硅膜的制造方法21、單晶硅基片表面自組裝稀土納米膜的制備方法22、通過控制拉速分布制造單晶硅錠和晶片的方法及其產(chǎn)品23、一種鋅摻雜的負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻24、一種錳摻雜的負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻25、單晶硅片表面制備巰基硅烷-稀土納米復(fù)合薄膜的方法26、提拉單晶硅用石英玻璃坩堝和制造該坩堝的方法27、涂覆有金屬電鍍層的單晶硅基片和垂直磁記錄介質(zhì)28、直拉單晶硅用砷摻雜劑及其制造方法以及使用該摻雜劑的單晶硅的制造方法29、單晶硅片表面自組裝聚電解質(zhì)-稀土納米薄膜的制備方法30、單晶硅錠及其制造方法31、提拉單晶硅的裝置32、通過控制拉速分布制造單晶硅錠和晶片的方法及其產(chǎn)品33、單晶硅－納米晶立方氮化硼薄膜類P－N結(jié)及其制作方法34、低濃度鈣雜質(zhì)的石墨支撐容器及其在制造單晶硅中的應(yīng)用35、單晶硅片抗機(jī)械力的提高36、生長富空位單晶硅的熱屏蔽組件和方法37、用于單晶硅生長的非Dash縮頸法38、形成單晶硅層的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法39、熱退火后的低缺陷密度單晶硅40、從低缺陷密度的單晶硅上制備硅－絕緣體結(jié)構(gòu)41、標(biāo)定單晶硅晶圓晶向的方法42、制備具有均勻熱過程的單晶硅的方法43、單晶硅及SOI基板、半導(dǎo)體裝置及其制造方法、顯示裝置44、平板單晶硅表面的改性方法45、用于制備低鐵污染單晶硅的裝置和方法46、用于控制空位為主的單晶硅熱過程的方法47、單晶硅晶片及單晶硅的制造方法48、絕緣體上的單晶硅(SOI)材料的制造方法49、分離單晶硅堝底料中石英的工藝50、直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片及其制造方法51、抑制長的大直徑單晶硅生長條紋的直拉生長裝置52、制備單晶硅片表面完整層的新途徑53、非線性磁場中單晶硅拉制方法及其裝置54、摻金、摻鉑單晶硅互換熱敏電阻及其制作方法55、單晶硅的制造方法和設(shè)備56、單晶硅生產(chǎn)裝置57、制造單晶硅的設(shè)備58、單晶硅生產(chǎn)設(shè)備59、制造單晶硅的裝置60、單晶硅拉制爐及多晶硅冶煉爐用炭/炭隔熱屏的制備方法61、單晶硅拉制爐及多晶硅冶煉爐用炭/炭加熱器的制備方法