R25高頻低噪聲貼片三極管
2SC3356-R25硅超高頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管,因為該型號放大倍數(shù)為125-250檔的命名為R25,并且塑封體本體上印字為R25,所以簡稱為R25三極管。該三極管具有高功率增益、低噪聲特性、大動態(tài)范圍和理想的電流特性。主要應(yīng)用于超高頻低噪聲功率管主要應(yīng)用于VHF,UHF,CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產(chǎn)于NEC公司,現(xiàn)在國內(nèi)也有生產(chǎn)。北京鼎霖電子在該公司已有的軍用微波相控陣?yán)走_功率放大器件生產(chǎn)技術(shù)的基礎(chǔ)上,為民用市場研制開發(fā)了系列高頻微波三極管,包括2SC3356,2SC3357,BFQ591,2SC4226,BFR540,BFR520等,其性能指標(biāo)同NEC、philips同類產(chǎn)品相同。
2SC3356電性能參數(shù)(TA=25℃):
擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V 直流放大系數(shù)hFE:40~250 @VCE=3V,IC=7mA 集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值) 發(fā)射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值) 特征頻率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA 集電極允許電流IC:0.1(A) 集電極最大允許耗散功率PT:0.2(W) 插入功率增益∣S21∣:9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 噪聲系數(shù)NF:1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 反饋電容Cre:0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。 貯存溫度Tstg:-65~150℃ 封裝形式:SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59 功率特性:中功率 極性:NPN型 結(jié)構(gòu):擴散型 材料:硅(Si) 封裝材料:塑料封裝
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