產(chǎn)品品牌：桂微牌 產(chǎn)品型號(hào)：C945/CR 應(yīng)用范圍 放大 功率特性 小功率 頻率特性 低頻 極性 NPN型 結(jié)構(gòu) 面接觸型 材料 硅 封裝形式 SOT-23 封裝材料 塑料封裝 特征頻率 典型值300（MHz） 集電極允許電流 0.2（A） 營(yíng)銷方式 廠家直銷 桂林斯壯微電子有限責(zé)任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 CHARACTERISTIC 特性參數(shù) Symbol 符號(hào) Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 60 Vdc Collector-Emitter Voltage 集電極-發(fā)射極電壓 VCEO 50 Vdc Emitter-Base Voltage 發(fā)射極-基極電壓 VEBO 5.0 Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續(xù) Ic 100 mA Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 225 mW Junction Temperature 結(jié)溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲(chǔ)存溫度 Tstg -55～150 ℃ ■DEVICE MARKING打標(biāo) GMC945(C945LT1)=CR HFE:120-220 200-400 桂林斯壯微電子有限責(zé)任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted如無特殊說明,溫度爲(wèi)25℃) Characteristic 特性參數(shù) Symbol 符號(hào) Test Condition 測(cè)試條件 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB=60V, IE=0 0.1 A Emitter Cutoff Current 發(fā)射極截止電流 IEBO VEB=5V, IC=0 0.1 A Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO IC=100 A 60 V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC=1.0mA 50 V Emitter-Base Breakdown Votlage 發(fā)射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO IE=100 A 5 V DC Current Gain 直流電流增益 HFE VCE=6V, IC=1mA 120 400 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發(fā)射極飽和壓降 VCE(sat) IC=100mA, IB=10mA 0.3 V Base-Emitter Saturation 基極-發(fā)射極電壓 VBE VCE=5.0V, IC=10mA 0.8 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE=6.0V, IC=1mA 250 MHz 桂林斯壯微電子有限責(zé)任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMC945 ■DIMENSION外形封裝尺寸