加工定制:是最大電壓: （V）功率: （W）額定溫度:1300~1800（℃）主要用途:半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性?！鶓?yīng)用領(lǐng)域： CNT生產(chǎn)的CVD(SiC)設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiC和SiO2薄膜的專用設(shè)備。淀積溫度能夠較高 (1300～1800℃可調(diào) ) ，特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。※產(chǎn)品描述：CNT公司生產(chǎn)的CVD設(shè)備主要由全真空專用不銹鋼腔體，分子泵高真空系統(tǒng)，電源，生長(zhǎng)機(jī)體載體及溫控系統(tǒng)，獨(dú)立排氣和生長(zhǎng)壓力調(diào)節(jié)系統(tǒng)，冷卻循環(huán)水輔助設(shè)備等組成。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設(shè)備控制系統(tǒng)采用邏輯按鈕手動(dòng)控制與工控機(jī)自控控制可選。實(shí)現(xiàn)真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設(shè)備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜等?！夹g(shù)指標(biāo)：參 數(shù) 名 稱單 位配置沉積類型碳化硅，氮化硅電 源射頻電源，帶正向功率和反射功率計(jì)指示，帶匹配器加熱系統(tǒng)平板式雙反應(yīng)室系統(tǒng)，帶加溫和勻氣系統(tǒng)工 作 溫 度℃1300~1800℃基片臺(tái)尺寸( H)mm1英寸、二英寸、三英寸、四英寸基片臺(tái)轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)速0-20RPM控 溫 精 度℃ 1極限真空pa6.67.0 10-5密封系統(tǒng)磁流體密封水冷、氣路系統(tǒng)冷卻水循環(huán)機(jī)、無(wú)噪聲氣泵報(bào)警及保護(hù)對(duì)缺水、過(guò)流過(guò)壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警及相應(yīng)保護(hù)措施真空系統(tǒng)（選 配）真空系列單級(jí)機(jī)械泵、擴(kuò)散泵機(jī)組、分子泵工作腔體不銹鋼氣氛系統(tǒng)浮子流量計(jì)、進(jìn)口、國(guó)產(chǎn)質(zhì)量流量計(jì)記錄裝置進(jìn)口、國(guó)產(chǎn)無(wú)紙記錄儀備注：西尼特可根據(jù)閣下要求提供各種非標(biāo)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)制造，歡迎來(lái)函、來(lái)電咨詢！ 24小時(shí)熱線：400-668-6260 18610138965 Fax:010-51418223cntdl@sina.com http://www.cimitdl.com