加工定制:是最大電壓: （V）功率: （W）額定溫度:100~1100（℃）主要用途:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介※應(yīng)用領(lǐng)域：CNT生產(chǎn)的CVD（真空化學(xué)氣相沉積爐）是一種用于在基片上生成高質(zhì)量TiC、SiC、SiO2、Si3N4專用設(shè)備。淀積溫度能夠較高(100～1200℃可調(diào))，它已成為機械制造工業(yè)、冶金工業(yè)、光學(xué)工業(yè)、半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備?！a(chǎn)品描述：CNT公司CVD設(shè)備主要由全真空專用不銹鋼腔體，分子泵高真空系統(tǒng)，電源，生長機體載體及溫控系統(tǒng)，獨立排氣和生長壓力調(diào)節(jié)系統(tǒng)，冷卻循環(huán)水輔助設(shè)備等組成。整機結(jié)構(gòu)緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設(shè)備控制系統(tǒng)采用邏輯按鈕手動控制與工控機自控控制可選。實現(xiàn)真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設(shè)備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜等?！夹g(shù)指標(biāo)：參 數(shù) 名 稱單 位配置沉積類型TiC、SiC、SiO2、 -Si等電 源射頻電源，帶正向功率和反射功率計指示，帶匹配器加熱系統(tǒng)平板式雙反應(yīng)室系統(tǒng)，帶加溫和勻氣系統(tǒng)工 作 溫 度℃100~1100℃基片臺尺寸( H)mm1英寸、二英寸、三英寸、四英寸、6英寸、8英寸基片臺轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)速0-20RPM控 溫 精 度℃ 1極限真空pa8.0 10-5密封系統(tǒng)磁流體密封水冷、氣路系統(tǒng)冷卻水循環(huán)機、無噪聲氣泵報警及保護對缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警及相應(yīng)保護措施真空系統(tǒng)（選 配）真空系列單級機械泵、擴散泵機組、分子泵工作腔體不銹鋼氣氛系統(tǒng)浮子流量計、進口、國產(chǎn)質(zhì)量流量計記錄裝置進口、國產(chǎn)無紙記錄儀備注：西尼特可根據(jù)閣下要求提供各種非標(biāo)產(chǎn)品的設(shè)計制造，歡迎來函、來電咨詢！ 24小時熱線：400-668-6260 18610138965 Fax:010-51418223cntdl@sina.com http://www.cimitdl.com