AlGaInPLED芯片介紹 精確設(shè)計(jì)外延層結(jié)構(gòu)和控制MOCVD生長工藝，針對(duì)不同應(yīng)用，生產(chǎn)不同規(guī)格外延片，通過細(xì)致的芯片加工工藝，使LED芯片成為客戶手中的藝術(shù)品，給予用戶更多的附加值。 數(shù)碼點(diǎn)陣系列： T07R1BT08R1BT09R1C其它波段、尺寸等規(guī)格可應(yīng)需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.3V1.8-2.2VIv:20-40mcd20-40mcd40-60mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30 景觀照明，燈光布景，室內(nèi)裝修系列： T07R1ET07R1FT08R1G其它波段、尺寸等規(guī)格可應(yīng)需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.3V1.8-2.3VIv:70-90mcd80-100mcd90-110mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30 顯示屏、交通燈系列： T08R1JT09R1KT12R1L其它波段、尺寸等規(guī)格可應(yīng)需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.3V1.8-2.2VIv:120-140mcd130-150mcd140-170mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30 高可靠性 E 系列：動(dòng)態(tài)線性飽和度大，與常規(guī)產(chǎn)品相比，瞬態(tài)20ms飽和電流增加70%，耐電流沖擊能力強(qiáng)。工作結(jié)溫低，波長隨電流變化小，高溫加速老化亮度衰減減少2%。適用于一定苛刻環(huán)境下的使用。 TE1R1KTE2R1LTE3R1M其它波段、尺寸等規(guī)格可應(yīng)需求定制。 d:620-625nm620-625nm620-625nmVf:1.8-2.3V1.8-2.2V1.8-2.2VIv:130-150mcd140-170mcd150-180mcdVbr(Iz=-10 A): 30 30 30