PartNumber（編碼）Chip（晶片） Material（材料）Emitting（顏色）入P(nm)GaAsRed625-630 Parameter（參數(shù)）SymbolMINTYPMAXUNITTESTCONDITIONForwardVoltage（順向電壓）VF1.8/2.1VIf=20mADomiWavelength（主波長） d nm ReverseCurrent（反向電流）IR 10 AVR=5VPowerdissipation（消耗功率）Pd 170 mW LuminousIntensity（發(fā)光強度）IV2000/3000mcdIf=20mAPeakForwardCurrent（順向電流峰值）If(Peak) 100mA RecommendForwardCurrent（順向電流）If(Rec) 20 mA Electrostatic Discharge（靜電釋放）ESD 3000 V 1.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS：（Ta=25℃）2.OPERATINGTEMPERATURE： 40℃TO80℃(操作溫度)3.LEADSOLDERING：260℃FOR5SECONDS（焊接條件） 4.儲存條件:25℃以下60%濕度以下.