紅外線顯微鏡技術參數(shù)_Optotherm IS640熱成像儀-立特為智能電話：l52l9504346 （溫先生）

關鍵詞： ?Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1.?它的應用非常廣泛，去封裝的芯片分析，未去封裝的芯片分析，電容，F(xiàn)PC,甚至小尺寸的電路板分析（PCB、PCBA）,這也就讓你可以在對樣品的不同階段都可以使用thermal技術進行分析，如下圖示例，樣品電路板漏電定位到某QFN封裝器件漏電，將該器件拆下后發(fā)現(xiàn)漏電改善，對該器件焊引線出來，未開封定位為某引腳，開封后扎針上電再做分析，進一步確認為晶圓某引線位置漏電導致，如有需要可接著做SEM,FIB等分析。

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未開封器件分析

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開封器件分析

2. 它能偵測的半導體缺陷也非常廣泛，微安級漏電，低阻抗短路，ES擊傷，閂鎖效應點，金屬層底部短路等等，而電容的漏電和短路點定位，F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏電，微短路等也能夠精確定位

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lock-in鎖相分析

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開封芯片漏電分析

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GAN-SIC器件

3，它是無損分析：作為日常的失效分析，往往樣品量稀少，這就要求失效分析技術最好是無損的，而對于某些例如陶瓷電容和FPC的缺陷，雖然電測能測出存在缺陷，但是對具體缺陷位置，市場上的無損分析如XRAY或超聲波，卻很難進行定位，只能通過對樣品進行破壞性切片分析，且只能隨機挑選位置，而通過Thermal 技術，你需要的只是給樣品上電，就可以對上述兩種缺陷進行定位

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FPC缺陷分析

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電容缺陷分析

4,鎖相熱成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：利用鎖相技術，將溫度分辨率提高到0.001℃，5um分辨率鏡頭，可以偵測uA級漏電流和微短路缺陷，遠由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點偵測法（0.1℃分辨率，mA級漏電流熱點）

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5，系統(tǒng)能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布，提供了一種快速探測熱點和熱梯度的有效手段，熱分布不僅能顯示出缺陷的位置，在半導體領域

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在集成電路操作期間，內部結自加熱導致接合處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接合處本身，并且熱從接合部向外傳導到封裝中。因此，器件操作期間的精確結溫測量是熱表征的組成部分。

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芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料，分層或空隙等原因引起的。Sentris熱分析工具（如 圖像序列分析）可用于評估樣品由內到外的熱量傳遞過程，以便確定管芯接合的完整性。

OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)作為一臺專業(yè)為缺陷定位的系統(tǒng)，專為電子產(chǎn)品FA設計，通過特別的LOCK-IN技術，使用LWIR鏡頭，仍能將將溫度分辨率提升到0.001℃（1mK），同時光學分辨率最高達到5um,尤其其軟件系統(tǒng)經(jīng)過多年的優(yōu)化，具有非常易用和實用，以下是OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)分析過程的說明視頻

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited?‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作為Optotherm公司中國代表（獨家代理），在深圳設立optotherm紅外熱分析應用實驗室，負責該設備的演示和銷售，如有相關應用，可提供免費評估測試服務。

深圳市立特為智能有限公司LEADERWE立為包括立為智能國際有限公司和深圳市立特為智能有限公司，是一家專業(yè)提供電子、材料等領域分析及檢測設備的綜合服務供應商！

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國外的顯微熱成像系統(tǒng)大都基于制冷型焦平面探測器，其價格昂貴、體積大、重量大，從而影響了其在國內應用的普及。非制冷焦平面探測器具有較高的性能價格比、無需制冷等諸多優(yōu)點，因此我國近年來開始相繼開展非制冷型顯微熱成像系統(tǒng)的研究。但由于非制冷探測器陣列數(shù)目有限及探測單元尺寸的限制，空間采樣頻率無法滿足采樣定理，圖像空間分辨力低，混頻現(xiàn)象比較嚴重，而顯微熱成像系統(tǒng)屬于放大模式，很多時候被觀測的對象較小，細節(jié)多，因此急需提高系統(tǒng)的空間分辨力以滿足細微熱分析領域的需求。而微掃描技術可在不增加探測器像素規(guī)模和減小探測單元尺寸條件下，增加成像系統(tǒng)的空間采樣頻率，減少圖像的頻率混淆效應，減小探測器單元空間積分的影響，最終可以有效提高光電成像系統(tǒng)的分辨力，且系統(tǒng)成本較低，性價比高[四-2]。因此，研究將微掃描技術引入到顯微熱成像系統(tǒng)中以提高系統(tǒng)空間分辨力具有重要意義和實用價值。然而目前關于顯微熱成像系統(tǒng)的理論研究甚少，而光學微掃描技術應用到顯微熱成像系統(tǒng)中的報道更是寥寥無幾。因此今后需大力開展基于微掃描的非制冷顯微熱成像的研究，主要研究問題如下：
（1）以往熱成像系統(tǒng)的性能參數(shù)一般是衡量望遠模式熱成像系統(tǒng)的，不再適用于顯微熱成像系統(tǒng)。因此需要針對顯微熱成像系統(tǒng)建立這些參數(shù)的數(shù)學模型，給出提高系統(tǒng)性能的具體方案，為系統(tǒng)優(yōu)化設計提供理論基礎。而國內外關于顯微熱成像系統(tǒng)理論的報道甚少，尤其是系統(tǒng)性能參數(shù)的理論體系尚未建立。
（2）微掃描系統(tǒng)的微位移精度是微掃描系統(tǒng)重要的性能指標，也是影響整個顯微熱成像系統(tǒng)性能的重要因素，但微位移誤差的數(shù)學模型尚未建立，而這是系統(tǒng)進行優(yōu)化設計的關鍵。
（3）系統(tǒng)優(yōu)化設計后，仍不可避免的存在誤差，這就需要基于微掃描原理，進一步研究計算量小、實時性好的高分辨力過采樣及超分辨力圖像處理算法。
（4）進一步完善光學微掃描高分辨力顯微熱成像系統(tǒng)，集成系統(tǒng)的各個部分，并嘗試將該系統(tǒng)改造以滿足不同領域的需求，加強成果的產(chǎn)品化工作。
而這些問題不僅是顯微熱成像系統(tǒng)更是其他光學微掃描高分辨力光電成像系統(tǒng)所涉及的深層次問題和普遍性問題，需要亟待解決。
隨著科學技術的發(fā)展，高精度的紅外顯微熱成像系統(tǒng)在微區(qū)域熱物理和化學問題探討、微生物探測、MEMS優(yōu)化設計等基礎學科領域也將起到非常重要的推進作用，越來越多的領域需要利用顯微熱成像系統(tǒng)對微細結構的熱分布進行檢測分析。因此研制搭建結構更加簡單、性能更加優(yōu)良的顯微熱成像系統(tǒng)，推進高分辨力顯微熱成像系統(tǒng)的實用化進程，對我國的紅外熱成像行業(yè)及其相關領域發(fā)展有著重要的意義，具有廣泛的應用前景。
紅外線顯微鏡技術參數(shù)_Optotherm IS640熱成像儀-立特為智能的閃爍體將透過人體后衰減的x線轉換為可見光，閃爍體下的非晶硅光電二極管陣列又將可見光轉換為電信號，在光電二極管自身的電容上形成存儲電荷，每個像素的存儲電荷量與入，紅外線顯微鏡技術參數(shù)_Optotherm IS640熱成像儀-立特為智能需要紅外熱像儀在初次上電或長時間工作后進行非均勻校正，以提高成像質量。目前紅外熱像儀通常采用兩點與單點非均勻校正相結合的方法，在紅外熱像儀裝配完成后通過黑體設備，紅外線顯微鏡技術參數(shù)_Optotherm IS640熱成像儀-立特為智能一致，若一致則判定為壞點，然后再計算校正結果對其進行校正。由于在硬件設計的時候需要占用大量的存儲器，考慮到芯片面積以及一些其他原因，因此靜態(tài)壞點有大小的限制，不，紅外線顯微鏡技術參數(shù)_Optotherm IS640熱成像儀-立特為智能而言，被測目標的風速不應高于5m/s。若現(xiàn)場風速高于此標準，會導致被測物體散熱過快，是測量溫度偏低。3、紅外熱像儀使用中會產(chǎn)生輻射干擾其他設備運行嗎？會受到檢測。