產品介紹 氮化鋁由ⅢA族元素Al和ⅤA族元素N化合而成的半導體材料。分子式為AlN。室溫下禁帶寬度為6.42eV，屬直接躍遷型能帶結構。 產品屬性 AlN是原子晶體，屬類金剛石氮化物，最高可穩(wěn)定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。功能用途 由于氮化鋁壓電效應的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜。其他說明1)熱導率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；(2)熱膨脹系數(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；(3)各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優(yōu)良；(4)機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結；(5)純度高；(6)光傳輸特性好；(7)無毒；(8)可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。交易說明 歡迎來電咨詢！