新聞：孝感燃?xì)忮仩t誠信商家
研究發(fā)現(xiàn)β-PbO2氧化膜的形成是提高析氧電催化活性和耐腐蝕性的本質(zhì)原因，陽極表面β-PbO2形成越多，電催化活性和耐蝕性越好，為鉛合金陽極表面陶瓷化處理提供理論依據(jù)。同時(shí)，該創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)了柵欄型鋁基鉛合金復(fù)合陽極表面陶瓷化處理新技術(shù)，確定了β-PbO2氧化膜的形成條件和規(guī)律，完成了以活性β-PbO2為核心，WC、ZrO2等納米顆粒摻雜改性β-PbO2-WC-ZrO2復(fù)合陶瓷膜的成分設(shè)計(jì)與工藝，探明了制備體系及材料性能與成分的關(guān)聯(lián)機(jī)制。

鍋爐點(diǎn)火
1、查閱運(yùn)行和（或）交接班記錄。
2、巡視、檢查鍋爐內(nèi)、外部。
3、檢查主要附件。閥、水位表、壓力表，要嚴(yán)密、可靠、靈敏。
4、檢查水處理設(shè)備。
5、檢查給水設(shè)備和汽水系統(tǒng)管道。各閥門按啟動(dòng)的要求。
6、檢查供油設(shè)備。上述檢查工作合格之后，即可啟動(dòng)鍋爐。

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同時(shí)還有展現(xiàn)光伏的競爭力、倒逼技術(shù)進(jìn)步、杜絕現(xiàn)象等諸多利好?！皩?shí)行競價(jià)是必然選擇?！毙弦眚v表示，2017年將實(shí)行競爭性項(xiàng)目分配，建設(shè)檢測(cè)評(píng)價(jià)體系。工業(yè)和信息化部電子信息司處長王威偉也透露，下一步將對(duì)光伏制造企業(yè)進(jìn)行抽查，看是否符合相關(guān)準(zhǔn)入要求。同時(shí)，將在光伏行業(yè)智能制造方面下力氣，通過一些項(xiàng)目來支持企業(yè)技術(shù)研發(fā)。此外，在園區(qū)中大力推動(dòng)光伏應(yīng)用，新型工業(yè)化產(chǎn)業(yè)示范基地要求非水可再生能源用電量不低于1％。

啟動(dòng)鍋爐
1、觀察水位表內(nèi)的水位，若出現(xiàn)水位有上升或下降的現(xiàn)象，則應(yīng)檢查給水閥和排污閥的開、關(guān)位置是否正確或泄漏。
2、當(dāng)壓力升到1公斤力（厘米2）表壓時(shí)，應(yīng)沖洗水位表。沖洗水位表的順序：
①打開汽水旋塞，沖洗汽水連管；
②關(guān)閉水旋塞，沖洗汽連管；
③打開水旋塞，沖洗汽水連管；
④關(guān)閉汽旋塞，沖洗水連管；
⑤打開汽旋塞，沖洗汽水連管；
⑥關(guān)閉汽水旋塞，使水位恢復(fù)正常。
如果水位迅速上升，并有輕微波動(dòng)，表明水位正常；如果水位上升很緩慢，表明水位表有堵塞現(xiàn)象，應(yīng)重新沖洗和檢查。

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3、當(dāng)壓力升到2公斤力（厘米2）表壓時(shí)，沖洗壓力表存水彎管。
4、當(dāng)壓力升到3公斤力（厘米2）表壓時(shí)，檢查受壓部件各連接處有無滲漏現(xiàn)象，對(duì)松動(dòng)過的螺絲再擰緊一次。為了防止螺絲擰斷，用力不宜過猛并不允許手柄方法緊固螺絲。
5、當(dāng)壓力升到4公斤力（厘米2）表壓時(shí)，進(jìn)行一次排污，以均衡各部分爐水溫度。排污前先進(jìn)水至高水位，排污時(shí)注意觀察排污管道周圍情況，并隨時(shí)觀察水位，排污后關(guān)嚴(yán)排污閥，并檢查有無漏水現(xiàn)象。
6、當(dāng)壓力升到工作壓力2/3時(shí)，進(jìn)行暖管（暖管的目的：使蒸汽管道、閥門、法蘭等都受到均勻緩慢的加熱并放去管內(nèi)的凝結(jié)水，以防止管道內(nèi)產(chǎn)生水擊而發(fā)生滲漏等。暖管時(shí)間約半小時(shí)左右）操作：
①開啟管道上的疏水閥，排除全部凝結(jié)水。
②緩慢開啟主汽閥半圈，待管道充分預(yù)熱后再全開。如管道發(fā)生震動(dòng)或水擊，應(yīng)立即關(guān)閉主汽閥，加強(qiáng)疏水，待震動(dòng)消除后，再慢慢開啟主汽閥，繼續(xù)進(jìn)行暖管。
③慢慢開啟分汽缸進(jìn)汽閥，使管道汽壓與分汽缸汽壓相等，同時(shí)注意排除凝結(jié)水。
④直至排出干燥蒸汽后，關(guān)閉所有疏水閥，全開主汽閥。各汽閥全開后，應(yīng)回轉(zhuǎn)半圈，防止汽閥因受熱膨脹后卡住。

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受訪專家：研究院市場(chǎng)研究所副所長白明在經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵階段，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是工業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。日常生活中的電視機(jī)、洗衣機(jī)、手機(jī)、電腦等都離不開半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在，包括芯片產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)很早就開始發(fā)展。在過去，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展水比較低，跟美歐、日韓等有一定的差距。這些年來，不斷加大發(fā)展力度，財(cái)政投入，了一系列政策和戰(zhàn)略，比如863計(jì)劃、高科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)、戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)、信息化戰(zhàn)略等。
7、當(dāng)汽壓升到工作壓力時(shí)，就可直接進(jìn)行供汽。
鍋爐正常運(yùn)行時(shí)，必須隨時(shí)調(diào)節(jié)汽壓、水位、油位，以及進(jìn)行排污（排污的目的：①排除爐水表面懸浮泡沫。降低爐水含鹽和含堿量，防止發(fā)生汽水共騰，保證蒸汽品質(zhì)；②排出積聚在鍋筒和下集箱底部的泥渣和污垢）。
（1）、鍋爐在運(yùn)行中應(yīng)做到均衡給水，盡可能保持水位在正常范圍。
（2）、在負(fù)荷較大時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)水位。如負(fù)荷突增時(shí)水位可能會(huì)出現(xiàn)先上升再下降現(xiàn)象，而負(fù)荷突降時(shí)，出現(xiàn)先下降再上升現(xiàn)象。因此，在和水位時(shí)，要注意判斷這種暫時(shí)的假水位，以免誤操作。
（3）、在鍋筒和下集箱底部的排污管上串聯(lián)安裝二只排污閥，靠近鍋爐和集箱的一只為慢開閥，另一只為快開閥，排污時(shí)應(yīng)先開啟慢開閥，后微開快開閥，預(yù)熱管道后再全開。為使排污效果更佳，可開關(guān)快開閥數(shù)次。排污結(jié)束后，先關(guān)閉快開閥，再關(guān)閉慢開閥，后再開一下快開閥將兩閥門之間的存水放凈。排污注意事項(xiàng)：
①排污前先將爐水調(diào)至高于正常水位，排污時(shí)要嚴(yán)格水位，防止因排污造成的鍋爐缺水。排污后間隔一段時(shí)間，用手摸排污閥后的排污管道來檢驗(yàn)排污閥是否泄漏，如感覺熱，表明排污閥泄漏，應(yīng)查明原因后加以消除。
②本著“勤排、少排、均勻排”的原則，每班至少排污一次，對(duì)所有的排污管須輪流進(jìn)行排污，防止?fàn)t水品質(zhì)惡化和排污管堵塞，甚至引起水循環(huán)和爆管事故。
③排污要在低負(fù)荷、正常工作壓力時(shí)進(jìn)行。此時(shí)鍋水沸騰緩和，渣污易沉淀，排污效果好。
④排污操作應(yīng)開關(guān)重復(fù)數(shù)次，依靠反沖擊力使渣垢攪拌起，然后集中排出，這樣排污效果好。

新聞：孝感燃?xì)忮仩t誠信商家數(shù)據(jù)顯示，賽迪智庫集成電路研究所所長霍雨濤表示，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)取得了一些進(jìn)展，但總體看仍處于起步階段。無論是DRAM還是NANDFlash等領(lǐng)域，核心技術(shù)、等仍主要掌握在三星、東芝、SK海力士、美光、SanDisk、Intel等海外廠商手中。霍雨濤認(rèn)為，國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片要想取得更大的進(jìn)展，需要合理規(guī)劃和統(tǒng)籌布局，做好長期持續(xù)大投入的；要聚焦核心技術(shù)和人才，立足自主研發(fā)，完善產(chǎn)業(yè)生態(tài)；要抓住計(jì)算和存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)深度融合帶來的機(jī)遇。

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