GDW3-LT1C 高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀/高頻光電壽命測(cè)試儀LT-1C :5～6000 s ＞0.1 cm貨號(hào)：ZH410太陽(yáng)能級(jí)硅片壽命配已知壽命樣片、配示波器產(chǎn)品簡(jiǎn)介1、用途用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊體形無(wú)嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。2、 設(shè)備組成2.1、光脈沖發(fā)生裝置重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬＞60 ｓ 光脈沖關(guān)斷時(shí)間＜1 ｓ紅外光源波長(zhǎng)：1.06～1.09 m（測(cè)量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源2.2、高頻源頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W2.3、放大器和檢波器頻率響應(yīng)：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz，Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。3、測(cè)量范圍可測(cè)硅單晶的電阻率范圍： 0.1 ㎝（歐姆 厘米）壽命值的測(cè)量范圍：5～6000 ｓ（微秒）