ZH410 高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀/高頻光電壽命測試儀LT-1C :5～6000 s ＞0.1 cm 太陽能級硅片壽命配已知壽命樣片、配示波器產(chǎn)品簡介1、用途用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項目。2、 設(shè)備組成2.1、光脈沖發(fā)生裝置重復(fù)頻率＞25次/s 脈寬＞60 ｓ 光脈沖關(guān)斷時間＜1 ｓ紅外光源波長：1.06～1.09 m（測量硅單晶） 脈沖電流：5A～20A如測量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源2.2、高頻源頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W2.3、放大器和檢波器頻率響應(yīng)：2Hz～2MHz2.4、配用示波器配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz，Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。3、測量范圍可測硅單晶的電阻率范圍： 0.1 ㎝（歐姆 厘米）壽命值的測量范圍：5～6000 ｓ（微秒）