2013版發(fā)光二極管(LED)用襯底材料市場發(fā)展格局及行業(yè)發(fā)展趨勢預(yù)測報(bào)告
【關(guān)鍵詞】發(fā)光二極管(LED)用襯底材料,發(fā)光二極管(LED)用襯底材料市場發(fā)展,發(fā)光二極管(LED)用襯底材料報(bào)告
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【釋放日期】2012年10月
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【 報(bào)告目錄】
第一章半導(dǎo)體照明(LED)產(chǎn)業(yè)概述1.1半導(dǎo)體照明(LED)產(chǎn)業(yè)背景環(huán)境1.2LED產(chǎn)業(yè)鏈主要產(chǎn)品、分類及應(yīng)用1.3半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)重要環(huán)節(jié)及其特點(diǎn)1.3.1半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)概述1.3.2上游環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)鏈1.3.3中游環(huán)節(jié)(芯片制備)產(chǎn)業(yè)鏈1.3.4下游環(huán)節(jié)(封裝和應(yīng)用)產(chǎn)業(yè)鏈1.3.5全國主要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地及潛力點(diǎn)
第二章全球及我國LED產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展2.1全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀2.1.1全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)格局現(xiàn)狀及發(fā)展2.1.2全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)區(qū)域及企業(yè)現(xiàn)狀2.2中國LED市場現(xiàn)狀2.2.1中國LED市場地位與現(xiàn)狀2.2.2中國LED外延及芯片環(huán)節(jié)現(xiàn)狀分析2.2.3中國LED封裝環(huán)節(jié)現(xiàn)狀分析2.2.4中國LED應(yīng)用領(lǐng)域現(xiàn)狀分析2.2.52011年我國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點(diǎn)2.3中國LED發(fā)展預(yù)測2.3.1政策支持2.3.2投資分析2.3.2.1投資結(jié)構(gòu)分析2.3.2.2投資資金分析2.3.2.3投資區(qū)域分析2.3.2.42012年LED產(chǎn)業(yè)投資建議
第三章LED用襯底材料概述3.1襯底材料的類型及在LED產(chǎn)品中的作用3.2LED芯片常用襯底材料選用比較3.3LED用襯底材料相關(guān)政策資源分析3.4LED用襯底材料相關(guān)產(chǎn)業(yè)分析
第四章藍(lán)寶石篇4.1藍(lán)寶石襯底概述4.1.1藍(lán)寶石襯底概念4.1.2藍(lán)寶石單晶晶體物理性能4.1.3藍(lán)寶石襯底主要類型和應(yīng)用領(lǐng)域4.1.4藍(lán)寶石襯底主要技術(shù)參數(shù)及工藝路線4.1.5藍(lán)寶石襯底標(biāo)準(zhǔn)4.1.6藍(lán)寶石基板應(yīng)用種類4.2國內(nèi)外藍(lán)寶石襯底行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展4.2.1國外行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與企業(yè)介紹4.2.2國外企業(yè)及其產(chǎn)品簡介4.2.2.1Rubicon4.2.2.2STC4.2.2.3Monocrystal4.2.2.4越峰電子材料股份有限公司4.2.2.5日本的京都陶瓷(Kyocera)4.2.2.6并木精密寶石工業(yè)4.2.2.7Astek4.2.2.8其它4.2.3國內(nèi)藍(lán)寶石襯底行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀4.2.4國內(nèi)主要藍(lán)寶石單晶生產(chǎn)企業(yè)簡介4.2.5國內(nèi)藍(lán)寶石長晶爐市場情況4.3我國LED產(chǎn)業(yè)對(duì)藍(lán)寶石襯底的需求分析4.4藍(lán)寶石襯底生產(chǎn)技術(shù)分析4.4.1目前藍(lán)寶石單晶主要生長技術(shù)分析4.4.2國內(nèi)外主要技術(shù)發(fā)展趨勢
第五章碳化硅篇5.1碳化硅襯底概述5.1.1碳化硅襯底概念5.1.2碳化硅性質(zhì)5.1.3碳化硅主要類型及應(yīng)用領(lǐng)域5.1.4碳化硅襯底標(biāo)準(zhǔn)5.2國內(nèi)外碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)及市場分析5.2.1國外SiC晶片市場分析5.2.2國外企業(yè)及其產(chǎn)品介紹5.2.2.1CREE5.2.2.2SiCrystal5.2.2.3道康寧5.2.2.4新日鐵集團(tuán)5.2.2.5普利司通5.2.3國內(nèi)SiC晶片生產(chǎn)及需求分析5.2.4國內(nèi)SiC晶片技術(shù)發(fā)展趨勢5.2.5國內(nèi)研發(fā)、生產(chǎn)企業(yè)及其產(chǎn)品簡介5.3國內(nèi)外碳化硅襯底行業(yè)的需求分析5.3.1國內(nèi)市場對(duì)碳化硅襯底的需求分析5.3.2軍事領(lǐng)域?qū)μ蓟枰r底的需求分析5.4碳化硅襯底技術(shù)分析5.4.1國外碳化硅技術(shù)現(xiàn)狀分析5.4.2國內(nèi)碳化硅生產(chǎn)技術(shù)與研究現(xiàn)狀
第六章硅襯底篇6.1硅襯底概述6.1.1硅襯底概念6.1.2硅襯底材料的優(yōu)勢6.1.3部分涉及單晶硅及硅拋光片國家及SEMI標(biāo)準(zhǔn)6.2國內(nèi)外市場對(duì)硅襯底材料市場的需求6.2.1LED產(chǎn)業(yè)對(duì)硅襯底材料的需求潛力分析6.2.2硅襯底材料在其他新興領(lǐng)域的需求6.3國內(nèi)硅襯底生產(chǎn)技術(shù)分析
第七章砷化鎵篇7.1砷化鎵材料概述7.1.1砷化鎵的概念7.1.2砷化鎵分類7.1.2.1按照應(yīng)用領(lǐng)域不同分類7.1.2.2按照工藝方法不同的分類7.1.3砷化鎵生長方法概述7.2國內(nèi)外砷化鎵材料的發(fā)展7.2.1境外砷化鎵材料的發(fā)展7.2.2境外砷化鎵材料市場的發(fā)展7.2.3境外砷化鎵企業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展7.2.4國內(nèi)砷化鎵材料的現(xiàn)狀及發(fā)展7.2.5國內(nèi)砷化鎵企業(yè)的現(xiàn)狀7.3砷化鎵外延片的加工7.3.1砷化鎵外延片的工藝法7.3.1.1氣相外延7.3.1.2液相外延7.3.1.3分子束外延(MBE)7.3.1.4MOCVD7.3.2LED使用中對(duì)砷化鎵外延材料的性能要求
第八章 其他襯底材料8.1氧化鋅8.1.1氧化鋅晶體概述8.1.2氧化鋅晶體應(yīng)用及發(fā)展8.2氮化鎵8.2.1氮化鎵晶體概述8.2.2氮化鎵晶體應(yīng)用及發(fā)展8.3硼化鋯8.3.1硼化鋯晶體概述8.3.2硼化鋯晶體應(yīng)用及發(fā)展8.4金屬合金8.4.1金屬合金襯底概述8.4.2金屬合金襯底應(yīng)用及發(fā)展8.5其他晶體材料8.5.1 鎂鋁尖晶石8.5.2 LiAlO2和LiGaO2
第九章發(fā)光二極管(LED)用襯底材料行業(yè)投資機(jī)會(huì)與風(fēng)險(xiǎn)預(yù)警9.1投資環(huán)境的分析與對(duì)策9.2投資機(jī)遇分析9.3投資風(fēng)險(xiǎn)分析9.3.1政策風(fēng)險(xiǎn)9.3.2經(jīng)營風(fēng)險(xiǎn)9.3.3技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)9.3.4進(jìn)入退出風(fēng)險(xiǎn)9.4投資策略與建議9.4.1企業(yè)資本結(jié)構(gòu)