二極管,二極管結(jié)構(gòu),二極管陰極,制備最新技術(shù)匯編(168元/全套) 歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：G339290敬告：我公司只提供技術(shù)資料，不能提供任何實物產(chǎn)品及設(shè)備，也不能提供生產(chǎn)銷售廠商信息。[8122-0093-0001]發(fā)光二級管結(jié)構(gòu)及其制造方法[摘要]本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管元件及其制造方法，是在基片表面先成長一層緩沖層，之后再于此緩沖層上成長發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包含有在p型氮化鎵層上的p型量子點磊晶層，因p型量子點磊晶層具有粗化散射效果，可以使ingan多重量子井結(jié)構(gòu)層形成的發(fā)光層所散發(fā)出來的光線，改變行進(jìn)路線，減少內(nèi)部全反射的機(jī)率，因此可有效地簡化公知的粗化過程，并能促進(jìn)發(fā)光效率。[8122-0206-0002]用于結(jié)晶多晶硅的掩膜及利用該掩膜形成薄膜晶體管的方法[摘要]用于形成多晶硅的掩膜包括：第一狹縫區(qū)域，在此多個水平狹縫圖案沿垂直方向排列，同時具有相同的寬度；第二狹縫區(qū)域，在此多個水平狹縫圖案沿垂直方向排列，同時具有相同的寬度；第三狹縫區(qū)域，在此多個水平狹縫圖案沿垂直方向排列，同時具有相同的寬度；以及第四狹縫區(qū)域，在此多個水平狹縫圖案沿垂直方向排列，同時具有相同的寬度。排列在第一至第四狹縫區(qū)域的狹縫圖案的寬度沿著水平方向順次以第一狹縫區(qū)域的狹縫圖案寬度d的倍數(shù)比例增加。沿著水平方向排