二極管,發(fā)光二極管,二極管制造,元件最新技術(shù)匯編(168元/全套) 歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：G339293敬告：我公司只提供技術(shù)資料，不能提供任何實(shí)物產(chǎn)品及設(shè)備，也不能提供生產(chǎn)銷售廠商信息。[8112-0048-0001]半導(dǎo)體器件[摘要]當(dāng)把硅膠注入外殼時，由于硅膠在固化前是液體，硅膠會由于毛細(xì)管作用而沿第一電極的正面和樹脂構(gòu)件的背面之間形成的微小間隙上升。但是，由于在第一電極上的空腔處間隙增大，硅膠的上升運(yùn)動停止在空腔的水平面處。更具體地說，防止硅膠到達(dá)第一電極和第二電極與外部端子相連接的部分。而且，由于可以通過空腔來阻止硅膠的上升運(yùn)動，所以可以以相互靠近的關(guān)系來設(shè)置第一電極和第二電極。[8112-0127-0002]橫型接合型場效應(yīng)晶體管及其制造方法[摘要]本發(fā)魃婕昂嶁徒雍閑統(tǒng)⌒в??騫薌捌渲圃旆椒?。采用备倣馔接洪e統(tǒng)⌒в??騫芎螅?詰?半導(dǎo)體層(13)中的源/漏區(qū)層(6、8)之間，跨越第2半導(dǎo)體層(12)及第3半導(dǎo)體層(13)，設(shè)置下面延伸到第2半導(dǎo)體層(12)、包含p型雜質(zhì)的濃度高于第2半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度的第1柵電極層(18a)。另外，設(shè)置與第1柵電極層(18a)具有大致相同的雜質(zhì)濃度，而且具有相同電位的第2柵電極層(18b)。其結(jié)果，可以提供具有在維持良好的耐壓性的同時，還可以降低on電阻的結(jié)構(gòu)的橫型接合型場效應(yīng)晶體管。[8112-0075-0003]光感測芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其方法一種光感測芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其方法，其包括基板、光感測芯片、支撐部、透明板、導(dǎo)線及保護(hù)體，以使光感測芯片上環(huán)設(shè)支撐部，并使透明板蓋設(shè)于該支撐部上，以對應(yīng)于光感測芯片上的光感測區(qū)，且使光感測芯片設(shè)置于基板上，并使導(dǎo)線電連接于光感測芯片及該基板，另使保護(hù)體粘設(shè)于光感測芯片的周緣及芯片周緣的基板上，以保護(hù)導(dǎo)線，以形成體積小的光感測芯片的封裝結(jié)構(gòu)，并可于制程中避免光感測芯片被污染。[8112-0156-0004]檢測半導(dǎo)體裝置過熱的裝置及方法[摘要]本發(fā)明涉及一種用以檢測半導(dǎo)體裝置過熱的裝置(1，11，21)及方法，其包含一種露炔飭孔爸?3，13，23)，而當(dāng)半導(dǎo)體裝置的溫度變化時，該溫度測量裝置(3，13，23)會改變其導(dǎo)電性。[8112-0132-0005]半導(dǎo)體器件的制造方法及用于剝離抗蝕劑的清洗裝置[摘要]以下面的方式一種半導(dǎo)體器件制造方法和一種剝離抗蝕劑的清洗裝置以足夠的成品率提供具有優(yōu)異的元件特性的半導(dǎo)體器件，在光刻工藝的干蝕刻之后，通過濕清洗去掉抗蝕劑，并且充分地除去了顆?；蚪饘匐s質(zhì)同時沒有損傷精細(xì)圖形。半導(dǎo)體器件的制造方法包括：在為半導(dǎo)體襯底提供的膜上形成抗蝕劑圖形，用抗蝕劑圖形作為掩模形成導(dǎo)電膜的精細(xì)圖形，同時進(jìn)行干蝕刻，將抗蝕劑剝離液提供到半導(dǎo)體襯底的精細(xì)圖形形成表面通過單晶片系統(tǒng)處理剝離抗蝕劑圖形，以及進(jìn)行半導(dǎo)體襯底的漂洗處理。[8112-0087-0006]場效應(yīng)晶體管，集成電路以及形成集成電路的方法[摘要]一種場效應(yīng)晶體管(fet)，包括fets的集成電路(ic)約耙恢中緯蒄ets的方法。每個fet包括一個沿半導(dǎo)體(例如硅)翅片一邊的器件柵以及沿翅片反側(cè)的一個反向偏壓柵。反向偏壓柵電介質(zhì)與器件柵電介質(zhì)在材料和/或厚度上都不同。器件閾值可以通過調(diào)節(jié)反向偏壓柵電壓調(diào)節(jié)。[8112-0002-0007]gaas基半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的氧化層及其形成方法[摘要]一種化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括位于支撐半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(7)上的鎵氧化物的第一層(8)，從而與之形成界面。在第一層上設(shè)置ga-gd氧化物的第二層(9)。gaas基支撐半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可以是gaas基異質(zhì)結(jié)構(gòu)，如至少部分完成的半導(dǎo)體器件(例如金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(430)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(310)或半導(dǎo)體激光器)。按照這樣的方式，由于介電結(jié)構(gòu)由緊接著ga-gd氧化物層的ga2o3層形成，提供了同時在氧化物-gaas界面具有低缺陷密度和具有低氧化物漏電流密度的介電層結(jié)構(gòu)。ga2o3層用于形成與gaas基支撐半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的高質(zhì)量界面，同時ga-gd氧化物提供低氧化物漏電流密度。[8112-0013-0008]化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法[摘要]一種化