簡(jiǎn)介 該設(shè)備專門用于太陽(yáng)能單晶硅和多晶硅太陽(yáng)電池組件的測(cè)試。通過(guò)光譜輻照，對(duì)組件相關(guān)的電子參量進(jìn)行測(cè)試。 主要技術(shù)參數(shù) 模擬光源高效率脈沖氙燈(單脈沖能量≥1200J)光不均勻度±3%測(cè)試范圍2×2m測(cè)試值域20~240W20~300W數(shù)據(jù)收集速度2ms數(shù)據(jù)收集數(shù)量8000點(diǎn)–IV曲線測(cè)試不穩(wěn)定性≤1%測(cè)試負(fù)荷10A/50V測(cè)試不精確性≤3%參數(shù)測(cè)試VocIscPmImVmFF 優(yōu)點(diǎn) ?大功率脈沖氙燈?光強(qiáng)度5%?10A/50v高速電子?2000對(duì)數(shù)據(jù)點(diǎn)?高速數(shù)據(jù)收集IV曲線?最大可測(cè)量的功率200W?測(cè)量速度10分鐘/件?測(cè)量穩(wěn)定0.5%?Windows接口?大測(cè)量區(qū)域1500mm*1500mm