VTCO尖峰吸收型電容薄膜器2UF1200VDC 薄膜電容器 薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器，聚丙烯電容（又稱PP電容）是屬于金屬化薄膜電容中的一種。公司生產(chǎn)的薄膜電容是以聚丙烯薄膜為介質(zhì)的VTCO薄膜電容 薄膜電容器可以按照外形與在電路中的作用分為以下幾種： 1：濾波電容。2：吸收電容、尖峰吸收電容、突波吸收電容、IGBT吸收電容、無感吸收電容。3：諧振電容。4：直流支撐電容、DC-link電容。5：耦合電容等 產(chǎn)品特點(diǎn)：無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，而且介質(zhì)損失很小，介電常數(shù)較高，體積小，容量大，穩(wěn)定性比較好，介質(zhì)損耗小，絕緣電阻高等特點(diǎn) IGBT吸收電容 IGBT吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞。 產(chǎn)品特點(diǎn)：能承受高脈沖電流，高dv/dtESL，ESR小，具有自愈性等 廣泛用于：電力電子設(shè)備，不間斷電源，逆變器，電鍍電源，焊接等設(shè)備的IGBT模塊吸收保護(hù)等 引用標(biāo)準(zhǔn) IEC6107160068 溫度范圍 -40 C~85 C 容量范圍 0.0047~10 F 額定電壓 700~3000VDC 容量偏差 5%, 10% 極間耐電壓 2Ur(DC)10s25 5℃ 極殼耐電壓 3000V50Hz60S,25 5℃ 損耗角正切 Cr 1.0 Ftg 5 10-4 Cr＞1.0 Ftg 6 10- at25 5℃,1KHz 絕緣電阻 C*IR 30000S,at100VDC,25 5℃,60S 預(yù)期壽命 100000hatUrand70℃