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公司基本資料信息
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種類(lèi) | 絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型 | N溝道 |
導(dǎo)電方式 | 增強(qiáng)型 | 用途 | L/功率放大 |
封裝外形 | SP/特殊外形 | 材料 | GE-N-FET鍺N溝道 |
開(kāi)啟電壓 | 2-4(V) | 夾斷電壓 | 600(V) |
跨導(dǎo) | 4.0S( S) | 極間電容 | 670(pF) |
低頻噪聲系數(shù) | 10(dB) | 最大漏極電流 | 100NA(mA) |
最大耗散功率 | 48W(mW) |
本品為場(chǎng)效應(yīng)管 4A 600V 封裝 TO-251 為4A 600V